请选择 进入手机版 | 继续访问电脑版
    频道首页    电子信息    先进制造    航空航天    现代交通     生物医药    新材料    新能源    环境保护     地球空间海洋    现代农业
    首页  >>  新材料  >> 科技成果

纳米晶,壳核纳米晶的电荷存储特性研究

  • 成果简介
  • 成果信息
  • 完成单位
        随着信息技术的快速发展,我国正逐步成为国际上最重要的半导体制造基地之一。高密度半导体存储器在我国市场需求巨大,开发具有自主知识产权的高密度存储器技术对国内半导体企业提升国际竞争力,支持我国半导体工业参与国际竞争意义重大,而发展新型存储材料与技术是高密度非挥发半导体存储技术研发的核心和关键。作为新一代的超高密度存储器件,纳米晶存储器具有体积小、存储密度高,低能耗、快速擦写和可多次循环使用的特点。我们在国际上首次应用改进的脉冲激光沉积技术成功的在非晶的高介电超薄薄膜中埋嵌高密度,可以有效控制尺寸的纳米晶和核壳结构纳米晶。这种方法是一个简单、快速、经济和通用的制备方法,同时,纳米晶的面密度可以达到每平方厘米10的11次方以上,纳米晶的尺寸可以控制在在10nm以下或者更小的。利用这种方法,我们已经成功的制备了半导体(如Ge,Si等)氧化物(如SrTiO3,LaAlO3等)金属纳晶(如Au,Ag等),以及核壳结构纳米晶(如Ge/GeO2,Ni/NiO等)埋嵌在非晶高介电材料(如Lu2O3,Al2O3,SiO2等)的纳米结构体系,有效的提高了纳米晶存储器件的运行效率和数据存储密度和时间。同时,我们在国际上首次开展了介电母体材料的应力对纳米晶的电荷存储特性的影响以及核壳结构纳米晶的电荷存储特性的研究的,研究工作发现通过调节纳米晶生长过程中受到的母体材料的应力可以有效调控纳米晶表面的缺陷态密度。通过纳米晶材料和母体材料的优化组合以及制备核壳结构纳米晶,实现对纳米晶表面缺陷态的人为调控,从而大幅度的提高纳米晶的电荷存储特性和器件的稳定性、可靠性,促进了纳米晶浮栅存储器的真正实用化。研究工作针对纳米晶浮栅存储器进一步发展中所面临的密度、速度、功耗、可靠性及可制造性之间的突出矛盾,多层次、综合性地研究纳米晶浮栅存储器的设计和制备、存储过程的物理机理、存储器件的纳米尺寸效应等关键科学和技术问题,为我国高性能存储器产业和江西省半导体产业的可持续发展提供了一定的理论和实验建议。
研究起止时间: 2007.01 至2010.05 成果登记时间: 2010-05-21 课题来源: 其他
成果体现形式: 研究形式: 独立研究 成果水平: 国际先进
成果属性: 成果所处阶段: 完成单位: 江西师范大学
完成单位: 江西师范大学 单位电话: 0791-88120000 单位传真: 0791-88120060
通讯地址: 江西省南昌市高新开发区紫阳大道99号 邮政编码: 330022 单位网址: www.jxnu.edu.cn